En Arabie Saoudite, des chercheurs ont mis au point une cellule tandem pérovskite-silicium équipée de wafers en silicium texturé permettant un piégeage de la lumière plus important. Le dispositif affiche une tension de circuit ouvert de 1,851 mV, un courant de court-circuit de 18,9 mA/cm² et un facteur de remplissage de 80,1 %.
TCL Zhonghuan a annoncé des baisses de prix des wafers, Shenzhen Energy a dévoilé un plan de construction d’un projet de stockage solaire de 2 GW, et les autorités chinoises ont annoncé des mesures visant à accélérer les connexions au réseau pour les nouvelles centrales solaires et éoliennes.
Le résultat, certifié par CalTeC, a été obtenu pour des cellules photovoltaïques à hétérojonction sur plaque silicium de format M2 réalisées sur la ligne pilote industrielle du CEA.
Toutes les étapes de la production de modules solaires sont réunies sous un même toit. Le montant total des investissements s’élève à 1,4 milliard de dollars, le projet comprenant aussi la réalisation d’une centrale photovoltaïque d’une capacité de 1 GW. Hanwha Q-Cells a initialement participé à ce projet, mais l’a ensuite entièrement laissé à son partenaire Kalyon Solar Technologies.
Le fabricant chinois fournira ses panneaux Vertex au développeur indien SunSource Energy. Les livraisons seront effectuées au cours du quatrième trimestre.
L’entreprise photovoltaïque chinoise a récemment présenté son nouveau module avec des wafers plus grands et une puissance allant jusqu’à 450 W. Avant la fin de cette année, Longi Solar prévoit une capacité de production de 20 GW pour ce seul modèle de module, ce qui représenterait 80 % de la capacité totale estimée.
Les scientifiques de l’Institut allemand Fraunhofer pour les systèmes d’énergie solaire ont battu deux de leurs propres records en matière d’efficacité cellulaire, en travaillant avec des cellules tandem en silicium et en matériau III-V. Le premier record s’élève à 34,1 % sur une cellule à triple jonction utilisant la technologie de collage de wafers, le second a atteint 24,3 % en déposant directement des couches III-V sur une cellule solaire en silicium.
Un article de recherche rédigé par des scientifiques du Laboratoire national d’énergie renouvelable des États-Unis décrit une nouvelle approche de la production de cellules à base d’arséniure de gallium. L’approche, appelée « germanium on nothing » (germanium sur rien), pourrait permettre de rendre rentable la production en volume de cellules photovoltaïques à base de matériaux III-V tels que l’arséniure de gallium.
This website uses cookies to anonymously count visitor numbers. To find out more, please see our Data Protection Policy.
The cookie settings on this website are set to "allow cookies" to give you the best browsing experience possible. If you continue to use this website without changing your cookie settings or you click "Accept" below then you are consenting to this.